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ADVANCE INFORMATION
CHARACTERISTICS
1.2
ZXMP3A17E6
10
1
R DS(ON)
Limited
DC
1s
1.0
0.8
0.6
100m
100ms
10ms
0.4
1ms
100us
0.2
10m
0.1
Single Pulse, T amb =25°C
1
10
0.0
0
25
50
75
100
125
150
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
Temperature (°C)
Derating Curve
100
80
60
D=0.5
100
10
Single Pulse
T amb =25°C
40
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
20
D=0.1
1
0
100μ 1m
10m 100m
1
10
100
1k
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
ISSUE 2 - JUNE 2003
3
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
SEMICONDUCTORS
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